Le chinois YMTC se prépare à faire son entrée sur le marché des mémoires flash 3D avec une technologie en propre. De quoi s’offrir un bouclier de propriété intellectuelle face aux six fabricants qui se partagent aujourd’hui le gâteau.
L’offensive de la Chine dans les mémoires flash 3D se précise. La société Yangtze Memory Technologies Co (YMTC), filiale de Tsinghua Unigroup, se prépare à faire son entrée sur le marché. Et à la surprise générale, elle compte amener dans sa besace une nouvelle technologie baptisée Xtacking.
Gain de 20% dans le temps de cycle
Fruit de plusieurs années de développement chez XMC, filiale de YMTC, cette technologie est présentée comme une rupture de nature à changer radicalement la donne sur le marché. Elle sera mise en production de masse en 2019 dans la méga usine à 24 milliards de dollars à Wuhan avec une capacité initiale de 100 000 plaquettes par mois.
La mémoire flash 3D comprend deux parties dédiées l’une aux cellules de stockage des données, l’autre aux éléments d’entrée-sortie. Les produits courants combinent aujourd’hui 64 couches de stockage superposées. Les éléments d’entrée-sortie occupent 20 à 30% de la surface de la puce. Avec le passage à 128 couches en projet, ils prendraient 50% de la surface, ce qui constituerait un sérieux frein à l’augmentation de la densité.
La technologie Xtacking consiste à séparer les cellules mémoires et les éléments d’entrée-sortie, et de les réaliser sur des plaquettes différentes. Une fois les deux parties fabriquées, celle des entrées-sorties est posée sur celle des cellules mémoires. Ainsi, les éléments d’entrée-sortie ne prennent aucune place dans la puce. Selon YMTC, cette construction modulaire offre l’avantage de réduire de 20% le temps de cycle de production, ouvrant la voie à des solutions personnalisées.
Amélioration de la vitesse d’entrée-sortie
« À l’heure actuelle, la vitesse d’entrée-sortie des mémoires flash 3D cible un maximum de 1,4 Gbit/s par seconde alors que la majorité des produits se limitent à 1 Gbit/s, commente Simon Yang, PDG de YMTC. Avec notre technologie Xtacking, il est possible d’atteindre 3 Gbits/s, similaire à celle de la mémoire Dram de génération DDR4. Cela va changer la donne dans les mémoires flash NAND. »
Avec cette technologie, YMTC s’offre un bouclier de propriété intellectuelle face aux six fabricants qui se partagent aujourd’hui le marché : les coréens Samsung Electronics et SK Hynix, les américains Micron Technology, Intel et Western Digital, et le japonais Toshiba Memory Corp. Tous misaient sur leurs portefeuilles de brevets bien garnis pour contrecarrer les projets du nouvel entrant chinois. Ils risquent d’en avoir pour leurs frais.
Selon le cabinet IC Insights, les mémoires flash NAND devraient représenter un pactole de 62,6 milliards de dollars en 2018. Elles formeraient le deuxième segment de marché des semi-conducteurs après celui des mémoires Dram (101,6 milliards de dollars). Avec sa méga usine à Wuhan, YMTC vise un chiffre d’affaires annuel de 10 milliards de dollars et à capter ainsi environ 15% du marché.
Source : www.usinenouvelle.com
